| Plural | dopants |
p-type dopant
p-тип легирования
n-type dopant
n-тип легирования
dopant concentration
концентрация легирующей примеси
dopant activation
активация легирующей примеси
dopant diffusion
диффузия легирующей примеси
dopant species
вид легирующей примеси
dopant level
уровень легирования
dopant effect
эффект легирования
dopant profile
профиль легирования
dopant source
источник легирующей примеси
the dopant concentration affects the electrical properties of the semiconductor.
концентрация легирующей примеси влияет на электрические свойства полупроводника.
adding a dopant can enhance the conductivity of the material.
добавление легирующей примеси может повысить электропроводность материала.
different dopants can be used to achieve specific electronic characteristics.
различные легирующие примеси могут использоваться для достижения определенных электронных характеристик.
the choice of dopant is crucial for the performance of solar cells.
выбор легирующей примеси имеет решающее значение для производительности солнечных элементов.
researchers are exploring new dopants for improved efficiency.
исследователи изучают новые легирующие примеси для повышения эффективности.
silicon is commonly used as a substrate for dopants in electronics.
кремний обычно используется в качестве подложки для легирующих примесей в электронике.
the dopant diffusion process is critical in semiconductor fabrication.
процесс диффузии легирующей примеси имеет решающее значение в производстве полупроводников.
controlling the dopant profile is essential for device reliability.
контроль профиля легирующей примеси необходим для надежности устройства.
some dopants can introduce defects that affect material properties.
некоторые легирующие примеси могут вводить дефекты, которые влияют на свойства материала.
the effectiveness of a dopant can vary with temperature.
эффективность легирующей примеси может варьироваться в зависимости от температуры.
p-type dopant
p-тип легирования
n-type dopant
n-тип легирования
dopant concentration
концентрация легирующей примеси
dopant activation
активация легирующей примеси
dopant diffusion
диффузия легирующей примеси
dopant species
вид легирующей примеси
dopant level
уровень легирования
dopant effect
эффект легирования
dopant profile
профиль легирования
dopant source
источник легирующей примеси
the dopant concentration affects the electrical properties of the semiconductor.
концентрация легирующей примеси влияет на электрические свойства полупроводника.
adding a dopant can enhance the conductivity of the material.
добавление легирующей примеси может повысить электропроводность материала.
different dopants can be used to achieve specific electronic characteristics.
различные легирующие примеси могут использоваться для достижения определенных электронных характеристик.
the choice of dopant is crucial for the performance of solar cells.
выбор легирующей примеси имеет решающее значение для производительности солнечных элементов.
researchers are exploring new dopants for improved efficiency.
исследователи изучают новые легирующие примеси для повышения эффективности.
silicon is commonly used as a substrate for dopants in electronics.
кремний обычно используется в качестве подложки для легирующих примесей в электронике.
the dopant diffusion process is critical in semiconductor fabrication.
процесс диффузии легирующей примеси имеет решающее значение в производстве полупроводников.
controlling the dopant profile is essential for device reliability.
контроль профиля легирующей примеси необходим для надежности устройства.
some dopants can introduce defects that affect material properties.
некоторые легирующие примеси могут вводить дефекты, которые влияют на свойства материала.
the effectiveness of a dopant can vary with temperature.
эффективность легирующей примеси может варьироваться в зависимости от температуры.
Изучите часто ищемую лексику
Хотите учить слова эффективнее? Скачайте приложение DictoGo и получите больше возможностей для запоминания и повторения слов!
Скачайте DictoGo сейчас